今日起正式量产台积电4nm工艺芯片

台积电的5nm工艺从前年华为麒麟9000开始，至今已经快两年时间了，先曾有传闻说台积电将3nm延期到第二季度量产，不过看来第二季度也是没什么希望了，所以这也让不少产品直接错过了台积电的3nm工艺，只能继续采用台积电的5nm或者4nm工艺，比如苹果的iPhone 14，如果按照原计划是可以用台积电的3nm工艺的，但现在最多也只能用到台积电的4nm工艺了。

至于台积电说了很久的3nm工艺，本来是要在今年年初正式量产，但是因为出现了一些问题，无非是产能、良率或者其他技术故障，所以台积电也不得不频频推迟3nm工艺正式量产的时间。

不过现在据说台积电在3nm上已经有了不小的突破，将于今年8月份在新竹12厂研发中心第八期工厂及南科18厂P5厂同步投片量产。之前台积电曾说过，3nm的工艺会有包括N3、N3E、N3B等工艺，不过现在台积电已经确定跳过N3，直接上马N3B这一强化工艺，而明年则启动增强版的N3E制程量产。这样看起来，标准的N3工艺可能是有一些问题。

今日（12月29日）本站获得消息，台积电今天将在台南科学园区举办 3 纳米量产暨扩厂典礼，正式宣布启动 3 纳米大规模生产。董事长刘德音以及逾 200 供应商与伙伴出席。据悉，台积电的南科芯片 18 厂是 5 纳米及 3 纳米的生产基地，其中，芯片 18 厂5期至9期厂房是3纳米生产基地。

新年伊始，台积电将采用产能有限的N3节点工艺，然后在2023年晚些时候转向更稳定、更高效的全面生产的N3E，随后在2024年转向 N3P，这一年台积电还将在新竹工厂将其2纳米GAA工艺投入试生产，并在2025年进行大规模生产。

在此前多个季度的财报分析师电话会议上，台积电CEO曾表示，他们在按计划推进3nm制程工艺以可观的良品率在下半年量产，在高性能计算和智能手机应用的推动下，预计产量在2023年将平稳提升。

台积电在官网公布的信息显示，他们的3nm制程工艺，是5nm之后的另一个全世代制程，具备最佳的 PPA 及电晶体技术。同5nm制程工艺相比，3nm制程工艺的逻辑密度将增加约70%，在相同功耗下速度提升10-15%，或者在相同速度下功耗降低25-30%。

明年苹果在iPhone上A17芯片基本就会是3nm制程了，如果今年更新M2芯片，明年下半年或者后年能更新到M3芯片的话，肯定也是会有3nm了，那个时候苹果的芯片在性能和结构上或许会迎来很大的进化。另外明年Intel和AMD个别一些产品可能也会开始向转向台积电的3nm工艺，高通明年的第三代骁龙8芯片，不出意外也会是3nm。

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